H5ANAG8NBJR-PBC vs H5ANAG8NBJR-VKC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5ANAG8NBJR-PBC tarafından SK hynix ve H5ANAG8NBJR-VKC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5ANAG8NBJR-PBC H5ANAG8NBJR-VKC
Marka SK hynix SK hynix
Kategori DRAM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gbit
Organizasyon x8 2G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Speed Grade / Data Rate PBC suffix, DDR4-2666 class —
Paket FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) FBGA-78
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Bank Architecture 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) —
Prefetch 8n —
Arayüz Türü Parallel, SSTL12 —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
CAS Latency (typical bin) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes —
Die Revision BJR —
RoHS Durumu Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard quantity] —
Speed Grade — DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Besleme Gerilimi — 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin