H5TC4G63AFR-PBA vs H5TC4G63AFR-PBJ Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5TC4G63AFR-PBA tarafından SK hynix ve H5TC4G63AFR-PBJ tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Aktif
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBJ H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBJ
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $3,98 —
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Organizasyon 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V —
Veri Hızı 1866 Mbps (PC3L-14900) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)]
Paket 96-ball FBGA 96-ball TFBGA
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) —
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
İşletim Sıcaklığı Aralığı 0°C to +95°C (Tcase) —
Arayüz 16-bit I/O —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
Auto Self-Refresh Yes Yes
Partial Array Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
Bellek Boyutu — 4 Gb (256M x 16)
Besleme Gerilimi — 1.35 V
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Refresh Cycles — 8192
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Access Time — 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet)
Data Mask — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
RoHS Durumu — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin