H5TC4G63MFR-PBA vs H5TC4G63AFR-PBI Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5TC4G63MFR-PBA tarafından SK hynix ve H5TC4G63AFR-PBI tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ Aktif
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63AFR-PBI
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Obsolete
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (+0.100V/-0.067V) —
Veri Hızı 1866 Mbps (PC3L-14900) DDR3-1600 (PC3L-12800)
Paket 96-ball FBGA 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32)
Number of Banks 8 8
Burst Length BL8, BL4 (with burst chop) 8 (BL8)
CAS Latency (CL) Programmable —
CAS Write Latency (CWL) Programmable —
Additive Latency Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes Yes
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Temperature-Compensated Self-Refresh Yes —
Process Technology 30nm-class —
RoHS Compliant Yes (Lead-Free & Halogen-Free) —
Total Memory Size — 4 Gb
Besleme Gerilimi — 1.35 V
CAS Gecikme — Programmable
Refresh Period — 7.8 us at 85°C
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40°C to +95°C
Montaj Türü — Surface Mount
Number of Terminals — 96
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin