H5TC4G63MFR-PBA vs H5TC4G63AFR-PBI השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5TC4G63MFR-PBA מאת SK hynix ו H5TC4G63AFR-PBI מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5TC4G63MFR-PBA | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | Obsolete |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | — |
| קצב נתונים | 1866 Mbps (PC3L-14900) | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | 8 (BL8) |
| CAS Latency (CL) | Programmable | — |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | — |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| מתח אספקה | — | 1.35 V |
| השהיית CAS | — | Programmable |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40°C to +95°C |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 96 |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |