IAUA210N10S5N024AUMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUA210N10S5N024AUMA1 tarafından Infineon ve ISC015N06NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUA210N10S5N024AUMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 5
Technology MOSFET (Metal Oxide), N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tj 210 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Gate Charge Qg (typ) [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 238 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) -55 C to +175 C
Paket PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin