IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUT300N10S5N015ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N04S6L020ATMA1 tarafından Infineon ve IAUT300N10S5N015ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C
Paket PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-HSOF-8-1 (HSOF-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
RoHS Durumu Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
RDS(on) (typ, VGS=10V) — 1.5 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
MSL Seviyesi — MSL1 (260°C peak reflow)
RoHS Compliance — RoHS compliant (Green product)
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
Polarity — N-Channel
Mode of Operation — Enhancement-mode

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin