IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUT300N10S5N015ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUC100N04S6L020ATMA1 מאת Infineon ו IAUT300N10S5N015ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ פעיל
Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C
מארז PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-HSOF-8-1 (HSOF-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
סטטוס RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
RDS(on) (typ, VGS=10V) — 1.5 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
רמת MSL — MSL1 (260°C peak reflow)
RoHS Compliance — RoHS compliant (Green product)
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
Polarity — N-Channel
Mode of Operation — Enhancement-mode

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר