IAUC100N04S6N022ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N04S6N022ATMA1 tarafından Infineon ve BSC019N04LSTATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC100N04S6N022ATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 6, N-Channel MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 100 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 75 W —
R_DS(on) (typ at V_GS=10V) 2.2 mOhm —
Paket PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) -55 C to +150 C
Polarity N-Channel enhancement mode —
Automotive Qualification AEC-Q100 (IAUC family) —
Pin Sayısı 8 —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Q_g [DATA_NEEDED: total gate charge] —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin