IAUC100N04S6N022ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUC100N04S6N022ATMA1 מאת Infineon ו BSC019N04LSTATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUC100N04S6N022ATMA1 | BSC019N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Technology | OptiMOS 6, N-Channel MOSFET | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 100 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 75 W | — |
| R_DS(on) (typ at V_GS=10V) | 2.2 mOhm | — |
| מארז | PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (junction) | -55 C to +150 C |
| Polarity | N-Channel enhancement mode | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (IAUC family) | — |
| מספר פינים | 8 | — |
| Gate Threshold V_GS(th) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge Q_g | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 161 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 85 nC |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | — | 94 W |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |