IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUCN08S7L018ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N06S5L015ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L018ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC120N06S5L015ATMA1 | IAUCN08S7L018ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) | N-Channel Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 235 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | 1.5 mΩ | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | 88 nC | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 167 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (Tj) | -55 °C to +175 °C |
| Paket | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount (exposed pad) | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | VGS = 10 V, ID = 50 A | — |
| Typical Application | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 210 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc] |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.8 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | — | 169 W |
| Qualification | — | Automotive (per Infineon part description) |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |