IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUCN08S7L018ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC120N06S5L015ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN08S7L018ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUC120N06S5L015ATMA1 | IAUCN08S7L018ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) | N-Channel Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 235 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | 1.5 mΩ | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | 88 nC | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 167 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (Tj) | -55 °C to +175 °C |
| پیکیج | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (exposed pad) | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | VGS = 10 V, ID = 50 A | — |
| Typical Application | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 210 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc] |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.8 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | — | 169 W |
| Qualification | — | Automotive (per Infineon part description) |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |