IAUC120N06S5L032ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N06S5L032ATMA1 tarafından Infineon ve BSC027N04LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC120N06S5L032ATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 (60 V) | OptiMOS 3 |
| Transistor Türü | N-Channel, Enhancement Mode | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | 120 A | — |
| R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) | 3.2 mOhm | — |
| Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) | 94 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C (T_j) | -55°C to +150°C |
| Technology | OptiMOS 5 Trench | OptiMOS 3 (Trench) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] | — |
| Total Gate Charge Q_G | [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| Güç Tüketimi (TC=25°C) | — | 83 W |
| Klorürsüz | — | Yes |