IAUC120N06S5L032ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IAUC120N06S5L032ATMA1 توسط Infineon و BSC027N04LSGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IAUC120N06S5L032ATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 (60 V) | OptiMOS 3 |
| نوع ترانزیستور | N-Channel, Enhancement Mode | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | 120 A | — |
| R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) | 3.2 mOhm | — |
| Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) | 94 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +175 C (T_j) | -55°C to +150°C |
| Technology | OptiMOS 5 Trench | OptiMOS 3 (Trench) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] | — |
| Total Gate Charge Q_G | [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| اتلاف توان (TC=25°C) | — | 83 W |
| بدون هالوژن | — | Yes |