IAUC120N06S5N022ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N06S5N022ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC60N04S6L030HATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUC120N06S5N022ATMA1 - 60V, 2.2mΩ OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5N022ATMA1 ✓ AktifInfineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC120N06S5N022ATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 170 A (Tj) | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mΩ at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 136 W (Tc) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: TJ min/max] | — |
| Paket | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP 5x6) | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS-5 trench | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Pin Sayısı | 8 (with exposed pad) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (per part number suffix) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Klorürsüz | Yes (per Infineon product family convention) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| RDS(on) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @4.5V] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |