IAUC41N06S5N102ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC41N06S5N102ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N037GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 47 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 42 W —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.4 V (typical) —
Total Gate Charge (QG) 12.5 nC —
Paket PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) AEC-Q101
RoHS Durumu Compliant Compliant
Channel Polarity N-Channel (single) —
Series — OptiMOS 7
Technology — Trench MOSFET, N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin