IAUC50N08S5L096ATMA1 vs IAUZ30N08S5N186ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC50N08S5L096ATMA1 tarafından Infineon ve IAUZ30N08S5N186ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUZ30N08S5N186ATMA1 - 80V 18.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ30N08S5N186ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC50N08S5L096ATMA1 | IAUZ30N08S5N186ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 50 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 200 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Power Dissipation (PD) | 60 W (Tc) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C | -55 °C to +175 °C (automotive) |
| Paket | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Technology | — | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 41 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] |