IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7L009ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L042GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7L009ATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUCN04S7L009ATMA1 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 7 (trench-gate) Trench N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) 275 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) 175 A —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 129 W —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 0.91 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Paket PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (Tj) -55C to +175C (Tj)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSL Seviyesi 1 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7 40V
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin