IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7L009ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7L042GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 - 40V 275A 0.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 ✓ فعالInfineon
IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN04S7L009ATMA1 | IAUCN04S7L042GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7L009ATMA1 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench-gate) | Trench N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) | 275 A (Tj) | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) | 175 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) | 129 W | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 0.91 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) | PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (Tj) | -55C to +175C (Tj) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| MSL لیول | 1 | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 40V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 77 A |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 50 W |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel enhancement mode |
| Automotive Qualified | — | Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) |
| Packing | — | Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) |
| Target Substrate | — | IMS substrate and legacy FR4 designs |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |