IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN04S7L009ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7L042GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IAUCN04S7L009ATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUCN04S7L009ATMA1 —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 7 (trench-gate) Trench N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) 275 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) 175 A —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 129 W —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 0.91 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
מארז PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C (Tj) -55C to +175C (Tj)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
רמת MSL 1 1
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7 40V
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר