IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N006ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7N024ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 175 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 7 trench
Paket PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55C to +175C (typical automotive)
Junction Temperature Max 175 C —
Power Dissipation Max (Pd) [DATA_NEEDED: Pd max] —
Gate Charge Total (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 165 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Güç Tüketimi (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
RoHS Compliance — Compliant
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin