IAUCN04S7N019DATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N019DATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N037GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 7 40V Trench MOSFET, N-Channel
Configuration Dual N-Channel (array) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 160 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
Paket PG-TDSON-8-60 (SuperSO8) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Input Capacitance (Ciss, typ.) 1.465 nF —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Automotive Qualification AEC-Q101 (family) AEC-Q101
ESD Protection Yes (gate integrated) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, family default) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Series — OptiMOS 7
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin