IAUCN04S7N027GATMA1 vs IAUCN04S7L009ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N027GATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L009ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7N027GATMA1 IAUCN04S7L009ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds max) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) 117 A —
On-Resistance (Rds(on) max) 2.67 mOhm —
Power Dissipation (Pd) 70 W (Tc) —
Paket / Kas PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +175 °C (Tj)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Gate-Source Voltage Max (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL] 1
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy FR-4 —
Part Number — IAUCN04S7L009ATMA1
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS™ 7 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) — 275 A (Tj)
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) — 175 A
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) — 129 W
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 0.91 mΩ
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Paket — PG-TDSON-8-34 (TDSON EP)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin