IAUCN04S7N027GATMA1 vs IAUCN04S7L009ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N027GATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7L009ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN04S7N027GATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1 - 40V 117A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET SSO4G 5x6

IAUCN04S7N027GATMA1 - 40V 117A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET SSO4G 5x6

IAUCN04S7N027GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN04S7N027GATMA1 IAUCN04S7L009ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds max) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) 117 A —
On-Resistance (Rds(on) max) 2.67 mOhm —
Power Dissipation (Pd) 70 W (Tc) —
پیکیج / کیس PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +175 °C (Tj)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Gate-Source Voltage Max (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL] 1
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy FR-4 —
Part Number — IAUCN04S7L009ATMA1
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS™ 7 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) — 275 A (Tj)
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) — 175 A
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) — 129 W
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 0.91 mΩ
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
پیکیج — PG-TDSON-8-34 (TDSON EP)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں