IAUCN04S7N056DATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N056DATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N037GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN04S7N056DATMA1 | IAUCN04S7N037GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7N056DATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 5 40V | OptiMOS 7 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 60 A (Tj) | — |
| RDS(on) (typ) | 5.59 mΩ | — |
| Power Dissipation (Pd) | 41 W (Tc) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] |
| Paket | PG-TDSON-8-61 (TDSON EP, 5x6 mm) | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | Trench MOSFET, N-Channel |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Packaging Type | Tape & Reel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 91 A |
| On-State Resistance RDS(on) typical | — | 3.65 mΩ at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 57 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |