IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUC120N06S5N017ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7L033ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5N017ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7L033ATMA1 IAUC120N06S5N017ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 OptiMOS 5
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 60 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 3.3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 118 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) -55°C to +175°C
Paket PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) PG-TDSON-8-43 (TDSON-8 EP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive Grade (per Infineon datasheet header) —
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) MSL1 (260°C peak reflow)
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 757 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.7 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 95.9 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.952 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 84 pF
Output Capacitance (Coss) — 1.507 nF
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 167 W
AEC-Q101 Qualification — Yes (Automotive Grade)
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin