IAUCN08S7N024ATMA1 vs IPTG025N15NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7N024ATMA1 tarafından Infineon ve IPTG025N15NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7N024ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A 264 A (pulsed)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 7 trench OptiMOS 6 150 V (N-channel trench)
Paket PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-HSOG-8-1 (TOLG)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (typical automotive) -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6)
Güç Tüketimi (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Compliance Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 26 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 395 W
On-State Resistance RDS(on) typ — 2.5 mOhm at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
RoHS Durumu — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Solder Joint Reliability — Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin