IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUCN10S7L180ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S5L110TATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN10S7L180ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN10S7L180ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS™ 7
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Paket PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (260°C peak reflow) —
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification —
RoHS Durumu Compliant EU RoHS Compliant with Exemption
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Number of Channels — 1
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 39 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 16.1 mΩ @ VGS=10 V
Typical RDS(on) — 18 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.6 V
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (±16 V per JLCPCB listing)
Total Gate Charge (Qg) — 11 nC
Input Capacitance (Ciss) — 272 pF
Output Capacitance (Coss) — 668 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7 pF
Automotive Qualified — Yes
Configuration — Single Quad Drain Triple Source
Channel Mode — Enhancement
Part Status — Active

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin