IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN10S7L290TATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S5L280DATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN10S7L290TATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S7L290TATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS™ 7
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Paket PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) —
Pin Sayısı 8 —
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant —
Packing Tape & Reel (T&R) —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 27 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 28.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 45 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
ESD Protection — HBM Class 1C (per Infineon datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin