IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN10S7L290TATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN10S5L280DATMA1 מאת Infineon ו IAUCN10S7L290TATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN10S5L280DATMA1 | IAUCN10S7L290TATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS™ 7 |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 23 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 38 W | — |
| מארז | PG-TDSON-8-61 (SSO8) | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) | — |
| Technology | OptiMOS 5 Trench MOSFET | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (junction) | — |
| מספר פינים | 8 | — |
| רמת MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 27 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 28.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 45 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| ESD Protection | — | HBM Class 1C (per Infineon datasheet) |