IAUZN10S7L289ATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZN10S7L289ATMA1 tarafından Infineon ve IAUZ18N10S5L420ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUZN10S7L289ATMA1 | IAUZ18N10S5L420ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-7 | — |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | OptiMOS 5 trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 27 A | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) | 45 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on), max, VGS=10V) | 28.9 mΩ | — |
| Paket | PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Grade | AEC-Q100 qualified (Automotive MOSFET) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 1.7 V to 2.7 V |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C (Tj) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| RoHS Compliance | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 100V |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | — | 8.5 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Configuration | — | Single with built-in diode |