IAUZN10S7L289ATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUZN10S7L289ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUZ18N10S5L420ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUZN10S7L289ATMA1 | IAUZ18N10S5L420ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-7 | — |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | OptiMOS 5 trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 27 A | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) | 45 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on), max, VGS=10V) | 28.9 mΩ | — |
| پیکیج | PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Grade | AEC-Q100 qualified (Automotive MOSFET) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 1.7 V to 2.7 V |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +175°C (Tj) | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| RoHS Compliance | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 100V |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | — | 8.5 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Configuration | — | Single with built-in diode |