IGD08N120S7ATMA1 vs IGW40N120H3FKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IGD08N120S7ATMA1 tarafından Infineon ve IGW40N120H3FKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IGD08N120S7ATMA1 IGW40N120H3FKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori IGBTs IGBTs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family IGBT 7 (S7) Trench Field Stop —
Collector-Emitter Voltage (Vce max) 1200 V —
Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) 24 A —
Pulsed Collector Current (Icm) [DATA_NEEDED: pulsed collector current] —
Total Power Dissipation (Ptot) 106 W —
Gate-Emitter Voltage (Vge max) [DATA_NEEDED: Vge max] —
VCE(sat) at rated Ic 1.65 V —
Co-packaged Diode Yes (anti-parallel emitter diode) —
İşletim Jant Sıcaklığı -40C to +175C (industry grade) —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Technology Trench Field Stop, 7th generation —
Configuration Single —
RoHS Durumu Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Series — TRENCHSTOP™ IGBT3
IGBT Type — Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) — 1200 V
Current - Collector (Ic) Max — 80 A
Current - Collector Pulsed (Icm) — 160 A
Power - Max — 483 W
Gate Charge (Qg) — 185 nC
Input Type — Standard
Operating Temperature (TJ) — -40 °C to +175 °C
Paket / Kas — PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
Packaging — Tube
Continuous Collector Current (Ic) — 40 A (per Infineon product page)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin