IGD08N120S7ATMA1 vs IGW40N120H3FKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGD08N120S7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IGW40N120H3FKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGD08N120S7ATMA1 IGW40N120H3FKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ IGBTs IGBTs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family IGBT 7 (S7) Trench Field Stop —
Collector-Emitter Voltage (Vce max) 1200 V —
Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) 24 A —
Pulsed Collector Current (Icm) [DATA_NEEDED: pulsed collector current] —
Total Power Dissipation (Ptot) 106 W —
Gate-Emitter Voltage (Vge max) [DATA_NEEDED: Vge max] —
VCE(sat) at rated Ic 1.65 V —
Co-packaged Diode Yes (anti-parallel emitter diode) —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -40C to +175C (industry grade) —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
Technology Trench Field Stop, 7th generation —
Configuration Single —
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Series — TRENCHSTOP™ IGBT3
IGBT Type — Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) — 1200 V
Current - Collector (Ic) Max — 80 A
Current - Collector Pulsed (Icm) — 160 A
Power - Max — 483 W
Gate Charge (Qg) — 185 nC
Input Type — Standard
Operating Temperature (TJ) — -40 °C to +175 °C
پیکیج / کیس — PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
Packaging — Tube
Continuous Collector Current (Ic) — 40 A (per Infineon product page)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں