IGD08N120S7ATMA1 vs IGW40N120H3FKSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IGD08N120S7ATMA1 bằng Infineon và IGW40N120H3FKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IGW40N120H3FKSA1 - 1200V TrenchStop IGBT3 80A TO-247 | Infineon
IGW40N120H3FKSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IGD08N120S7ATMA1 | IGW40N120H3FKSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | IGBTs | IGBTs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | IGBT 7 (S7) Trench Field Stop | — |
| Collector-Emitter Voltage (Vce max) | 1200 V | — |
| Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) | 24 A | — |
| Pulsed Collector Current (Icm) | [DATA_NEEDED: pulsed collector current] | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 106 W | — |
| Gate-Emitter Voltage (Vge max) | [DATA_NEEDED: Vge max] | — |
| VCE(sat) at rated Ic | 1.65 V | — |
| Co-packaged Diode | Yes (anti-parallel emitter diode) | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -40C to +175C (industry grade) | — |
| Hộp | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | Trench Field Stop, 7th generation | — |
| Configuration | Single | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Series | — | TRENCHSTOP™ IGBT3 |
| IGBT Type | — | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | — | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) Max | — | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | — | 160 A |
| Power - Max | — | 483 W |
| Gate Charge (Qg) | — | 185 nC |
| Input Type | — | Standard |
| Operating Temperature (TJ) | — | -40 °C to +175 °C |
| Hộp / Vỏ | — | PG-TO247-3-1 (TO-247-3) |
| Packaging | — | Tube |
| Continuous Collector Current (Ic) | — | 40 A (per Infineon product page) |