IPB039N10N3GATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB039N10N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB60R040CFD7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB039N10N3GATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $5,19
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 160 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 214 W —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 3.9 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd typ] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55°C to +150°C
Paket PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 1
RoHS / Halogen-Free Status RoHS compliant, halogen-free —
Series / Family OptiMOS 3 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS CFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Güç Tüketimi (TC=25°C) — 227 W
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin