IPB073N15N5ATMA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB073N15N5ATMA1 tarafından Infineon ve IPP075N15N3GXKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB073N15N5ATMA1 | IPP075N15N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | OptiMOS 5 (superjunction trench) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 114 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 7.3 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Power Dissition (PD) at Tc=25°C | 214 W | — |
| Paket | PG-TO263-3-2 (D2PAK-3L, surface mount) | PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) |
| Montaj Türü | Surface Mount (SMD) | Through Hole |
| Packaging | Tape and Reel (suffix ATMA1) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C (junction) | [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] |
| Configuration | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | — | 7.5 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free / RoHS | — | RoHS Compliant |
| Ordering Code Suffix | — | GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) |