IPB073N15N5ATMA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB073N15N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPP075N15N3GXKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB073N15N5ATMA1 IPP075N15N3GXKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 5 (superjunction trench) N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 114 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissition (PD) at Tc=25°C 214 W —
پیکیج PG-TO263-3-2 (D2PAK-3L, surface mount) PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (SMD) Through Hole
Packaging Tape and Reel (suffix ATMA1) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C (junction) [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Configuration Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL (Moisture Sensitivity Level) [DATA_NEEDED: MSL level] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں