IPB120N04S402ATMA1 vs IPC70N04S5L4R2ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB120N04S402ATMA1 tarafından Infineon ve IPC70N04S5L4R2ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB120N04S402ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 120 A —
Power Dissipation (PD, TC) 158 W —
RDS(on) (typ @ VGS=10 V) 1.8 mΩ —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (2 + Tab) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rating 100% Avalanche Tested —
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 70 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 50 W
R_DS(on) Max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ (typ)
Gate Threshold (Vgs(th)) — Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 4.5 V
Operating Temperature (Tj) — -55°C to +175°C
MSL Seviyesi — MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Avalanche Tested — 100% (60 A production test)
RoHS Durumu — Compliant (Green Product)
Configuration — Single with Built-in Diode
Case Connection — DRAIN

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin