IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD90P04P4L04ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB120P04P4L03ATMA2 tarafından Infineon ve IPD90P04P4L04ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB120P04P4L03ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant (per Infineon product page) Compliant
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Manufacturer — Infineon Technologies
Family — OptiMOS-P2
Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -40 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Pin Sayısı — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin