IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD90P04P4L04ATMA2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB120P04P4L03ATMA2 מאת Infineon ו IPD90P04P4L04ATMA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ פעיל
Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB120P04P4L03ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
סטטוס RoHS Compliant (per Infineon product page) Compliant
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Manufacturer — Infineon Technologies
Family — OptiMOS-P2
Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -40 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C
מספר פינים — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר