IPB35N10S3L26ATMA1 vs IPP320N20N3GXKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB35N10S3L26ATMA1 tarafından Infineon ve IPP320N20N3GXKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB35N10S3L26ATMA1 IPP320N20N3GXKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T OptiMOS 3
Channel Type N-Channel N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Package Type PG-TO263-3 (D2PAK-2) —
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Mode Enhancement —
RDS(on) (typical per Infineon product page) 26.3 mΩ —
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80 nC —
Maximum Drain-Source Resistance Rds 1.7 mΩ (per RS Components listing) —
Minimum Operating Temperature -55 C —
Maximum Power Dissipation Pd 81 W (per RS Components listing) —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] —
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 34 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 32 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Power Dissipation PD at TC=25°C — 136 W
Paket — TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
Pin Sayısı — 3 (3 + Tab)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C
Element Configuration — Single
Lead-Free — Yes
MSL Seviyesi — Not applicable (through-hole)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin