IPB35N10S3L26ATMA1 vs IPP320N20N3GXKSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPB35N10S3L26ATMA1 توسط Infineon و IPP320N20N3GXKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IPP320N20N3GXKSA1 - 200V 34A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPP320N20N3GXKSA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IPB35N10S3L26ATMA1 | IPP320N20N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | OptiMOS 3 |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 35 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 71 W | — |
| Package Type | PG-TO263-3 (D2PAK-2) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Through Hole |
| تعداد پایه | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RDS(on) (typical per Infineon product page) | 26.3 mΩ | — |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80 nC | — |
| Maximum Drain-Source Resistance Rds | 1.7 mΩ (per RS Components listing) | — |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | — |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81 W (per RS Components listing) | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| AEC-Q101 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] | — |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 34 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 32 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Power Dissipation PD at TC=25°C | — | 136 W |
| بسته‌بندی | — | TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole |
| تعداد پین‌ها | — | 3 (3 + Tab) |
| محدوده دمای کاری | — | -55°C to +175°C |
| Element Configuration | — | Single |
| Lead-Free | — | Yes |
| سطح MSL | — | Not applicable (through-hole) |