IPB60R280P7ATMA1 vs IPD80R280P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB60R280P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD80R280P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB60R280P7ATMA1 | IPD80R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | $0,88 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | CoolMOS P7 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Superjunction (SJ) | Superjunction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| Paket | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (2 + Tab) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C (T_j max) | — |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 17 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 280 mOhm |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 101 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +150C |
| ESD Protection | — | Integrated (per datasheet) |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |