IPB60R280P7ATMA1 vs IPD80R280P7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB60R280P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD80R280P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 - 800V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R280P7ATMA1 - 800V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R280P7ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB60R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $0.88 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) CoolMOS P7
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (SJ) Superjunction (CoolMOS P7)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
پیکیج PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO252-3 (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (2 + Tab) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (T_j max) —
Configuration Single N-Channel —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 800 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 17 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 280 mOhm
Power Dissipation (P_D, Tc) — 101 W
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C
ESD Protection — Integrated (per datasheet)
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں