IPB60R280P7ATMA1 vs IPD80R750P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB60R280P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD80R750P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB60R280P7ATMA1 | IPD80R750P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | $0,88 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (SJ) | CoolMOS (Super-Junction) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| Paket | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (2 + Tab) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C (T_j max) | — |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Part Number | — | IPD80R750P7ATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 7 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 750 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typical) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 51 W |
| Paket / Kas | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55C to +150C (TJ) |
| Gate Protection | — | Integrated Zener (ESD protected) |
| Packaging | — | Tape & Reel (ATMA1) |