IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPD90N04S403ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPC70N04S5L4R2ATMA1 tarafından Infineon ve IPD90N04S403ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPD90N04S403ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) Trench MOSFET (OptiMOS-T2)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 70 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 50 W —
R_DS(on) Max @ Vgs=10V 4.2 mΩ (typ) —
Gate Threshold (Vgs(th)) Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5 V —
Paket PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Operating Temperature (Tj) -55°C to +175°C —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (up to 260°C peak reflow) MSL1 (peak reflow up to 260C)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100% (60 A production test) 100% avalanche-tested
RoHS Durumu Compliant (Green Product) —
Configuration Single with Built-in Diode —
Case Connection DRAIN —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 94 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
RoHS Compliance — Compliant (Green Package)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin