IPD028N06NF2SATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD028N06NF2SATMA1 tarafından Infineon ve IPD50N06S409ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD028N06NF2SATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD028N06NF2SATMA1 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology Family OptiMOS 5 60V —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 139 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 2.85 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation at TA=25°C 3 W —
Power Dissipation at TC=25°C 150 W —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain-tab, Source) 3 (2 + Tab)
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Packing Tape & Reel (T&R) —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin