IPD068N10N3GATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD068N10N3GATMA1 tarafından Infineon ve ISZ230N10NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD068N10N3GATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD068N10N3GATMA1 | ISZ230N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD068N10N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 6.8 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V (typical) | 3.3 V (typ at 13 µA) |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| Qualification | Industrial (non-automotive) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 7.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 31 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 23 mΩ (typ, ID=10A) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| Family | — | OptiMOS 6 (100V class) |