IPD068N10N3GATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD068N10N3GATMA1 bằng Infineon và ISZ230N10NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD068N10N3GATMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD068N10N3GATMA1 | ISZ230N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD068N10N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 6.8 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V (typical) | 3.3 V (typ at 13 µA) |
| Hộp | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +175 C | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| Qualification | Industrial (non-automotive) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 7.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 31 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 23 mΩ (typ, ID=10A) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| Family | — | OptiMOS 6 (100V class) |