IPD30N08S2L21ATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N08S2L21ATMA1 tarafından Infineon ve BSC076N06NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD30N08S2L21ATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V 26 milliohm (typ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (L series) 2.0 V to 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ 56 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55C to +150C
Maximum Junction Temperature +175C —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Drain tab + Gate + Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS 3
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
RoHS Compliance — Compliant
Klorürsüz — Yes (per Infineon product page)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin